對分析工作者來說，關心的問題是熒光強度與濃度之間的關系。下面將對此作一些討論。

在理想情況下，假設所研究的體系滿足下列條件：

1)原子只吸收某一頻率的光能，并在被激發(fā)至特定的能級后放出熒光。

2)整個熒光池處于可被檢測器觀察到的立體角之內，也即熒光池不存在可吸收入射光而不為檢測器所觀察到的區(qū)域。

3)產生的熒光不會在熒光池中被重新吸收。

所當指出：光強度與很多因素有關，重要的包括：

①輻射源的強度

②原子化器中光源照射到的區(qū)域內原子的數目（濃度）

③光源輻射/吸收分數

④吸收轉化為輻射擊的效率

⑤原子化器中熒光信號被自吸收的量

據此，可以得到下列關系式。

 (1-1)

式中：I₀——輻射光能量

——測量的立體角

Ф——熒光效率

A_T——總吸收系數。即吸收的光能與入射光能之比

A_T =                                          (1-2)

按照不同的光源和不同的濃度狀況，可以得到A_T與分析濃度的關系如表1-2：

表1-2 不同情況下A_T的與待測物濃度之間的關系

以上為理想狀態(tài)，在實際情況下，工作曲線變得復雜起來，必須加一些校正因數，同時也要看到無論是線性和連續(xù)光源，熒光強度與濃度之間的線性關系只有在原子為低濃度條件下才能成立。

自吸也是熒光分析中經常遇到的，尤其是原子濃度較高時更應注意；自吸可以引起熒光信號變化熒光譜線變寬，從而減少峰值強度。

線性及連續(xù)光源在分析物濃度高時的熒光強度會發(fā)生變化，這種現(xiàn)象的主要原因是自吸。

還應指出的是：無論是連續(xù)光源或者線性光源，光源強度越高，其測量線性工作范圍越寬，因為這樣可以使線性下端延至愈來愈低的濃度值，這就是說，在痕量分析時是不會遇到曲線彎曲情況的。